散文精选网整流器和可控硅的区别？
整流器和可控硅二者有如下的区别:
1、元件的构造不同
普通整流元件是二极管或由2、4、6个二极管集成的半桥、单相全桥、三相全桥。
二极管是p型半导体n半导体构成单个pn结，分别从两半导体引出引脚。
可控硅是由p、n、p、n（n、p、n、p）四块半导体组成，半导体之间形成了三个pn结，分别从第一个p、第二个p和最后的n引出三个电极，依次为阳极a、控制极g和阴极k。
2、功能不同
整流器的二极管只能单向导电，导通电压取决输入电源电压。
可控硅是可以控制导通的时间（导通角），可控制输出电压的平均值，从而控制输出电压的大小。
延伸阅读
可控硅整流出来的电是纯粹的直流电么？
可控硅调压本身就是调整到相应的直流电压。普通的整流器不具有调压功能，可控硅整流器是通过调整导通角来控制输出的脉动直流电压，再经滤波后得到相应的直流电压。不过有一种“倍压整流电路”可以将较低的交流电压整流得到较高（电源电压n倍）的直流电压。通常用于高压生成电路。 可控硅：可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现的一种是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
电解可控硅整流器工作原理？
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
单向可控硅可作整流管用吗？
单向可控硅完全可以作为整流管用。
可控硅整流器是一种常用的电力半导体电子器件，具有控制开关数千瓦乃至兆瓦级电功率的能力。从结构上说，它是 一种反向截止三极管型的闸流晶体管，由三个PN结（PN-PN四层）构成。器件的外引线有阴极、阳极、控制极三个电极
大功率可控硅整流器电路常见故障？
大功率可控硅整流器电路的故障，顾名思义，由于整流器工作电流比较大，最容易产生热量，如果散热条件不好，散热器热容量小，冷却风扇发生问题，都容易造成整流器过热损坏。所以，冷却效果不好，热保护失灵结果就是可控硅损坏。所以，故障有，可控硅工作条件差，冷却风扇损坏，可控硅与散热器接触不良。
igbt整流和可控硅整流哪个好？
IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。受元件制造工艺和工作原理等影响，前者可在较高频率下工作（最高25KHz左右），后者大多在5KHz以内，这个是前者比后者的优点。
3、前者相比的缺点是成本高，制造工艺复杂，在高压大电流元件的制造上，还达不到可控硅的能力，并且在抗过载能力上远远不及可控硅。
4、随着制造工艺的进步，短路保护的日趋完善，前者在元件成本上已经大大下降，在很多场合与可控硅相比价格完全可以接受，并且由于控制灵活方便，能取消可控硅电路的关断电路等，在很多场合完全可以替代可控硅，并且性能更好。
扩展资料：
1、可控硅是可控硅整流元件的简称,亦称为晶闸管。是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
2、可控硅具有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
3、IGBT，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
4、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
可控硅整流器的控制参数？
可控硅的主要技术参数
1．正向阻断峰值电压（VPFU）
是指在控制极开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80％。
2．反向阻断峰值电压（VPRU）
它是指在控制极断路和额定结温度下，可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为最高反向测试电压值的80％。
3．额定正向平均电流（IF）
在环境温度为+40C时，器件导通（标准散热条件）可连续通过工频（即指供电网供给的电源频率．一般为50Hz或60Hz，我国规定为50Hz）正弦半波电流的平均值。
4．正向平均压降（UF）
在规定的条件下，器件通以额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5．维持电流（IH）
在控制极断开时，器件保持导通状态所必需的最小正向电流。
6．控制极触发电流（Ig）
阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流。
7．控制极触发电压（Ug）
是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压
发电机上的可控硅整流是干什么的？
可控硅整流是一种以可控硅（晶闸管）为基础，以智能数字控制电路为核心的交流变直流的可控整流电器。简称整流器。又称晶闸管整流器、可控硅整流器等。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快体积小、重量轻等诸多优点。
可控硅整流桥原理及功能？
功能
可控硅整流器是一种以晶闸管为基础、以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。其特点有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻。
原理
可控硅是P1、N1、P2、N2的四层三端结构元件，共有三个PN结。当阳极A加上正向电压时，g1和g2管均处于放大状态。
从控制极G输入一个正向触发信号时，g2便有基流b2经过，此时g2放大，其集电极电流c2=β2b2。g2的集电极直接与g1的基极相连，因此b1=c2。电流c2再经g1放大作用，g1的集电极电流c1=β1b1=β1β2b2。此时，电流又流回到g2的基极，表成正反馈，b2不断增大正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅即可饱和流通。
可控硅整流器好坏？
判断可控硅整流器好坏的方法：
1、可以通过万用表进行检测，将万用表调制电阻档，如果得出的数据正好是整流器的阻值，那么就说明该整流器是好的;
2、如果得出的数据为无穷大，那就说明这个整流器是坏的，内部可能存在断路;
3、如果得出的数据为零，那这个整流器还是坏的，说明内部可能存在短路。
